[发明专利]复合膜层的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310149253.0 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104124134B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 章安娜 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合膜层的刻蚀方法，包括如下步骤提供沉积有复合膜层的器件，所述复合膜层由第一多晶硅层、二氧化硅层和第二多晶硅层依次层叠形成且所述第二多晶硅层与所述器件直接接触；对所述第一多晶硅层进行表面预处理；在所述第一多晶硅层上涂覆光阻，接着对所述第一多晶硅层进行主刻蚀，接着对所述第一多晶硅层进行过刻蚀；对所述二氧化硅层进行主刻蚀，接着对所述二氧化硅层进行过刻蚀；对所述第二多晶硅层进行主刻蚀，接着对所述第二多晶硅层进行过刻蚀。这种复合膜层的刻蚀方法依次对第一多晶硅层、二氧化硅层和第二多晶硅层进行刻蚀，一次光刻后进行三次刻蚀，只需要使用一台多晶刻蚀机台，产能较高。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种复合膜层的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：提供沉积有复合膜层的器件，所述复合膜层由第一多晶硅层、二氧化硅层和第二多晶硅层依次层叠形成且所述第二多晶硅层与所述器件直接接触；对所述第一多晶硅层进行表面预处理；在所述第一多晶硅层上涂覆光阻，接着在第一工艺气体氛围下对所述第一多晶硅层进行主刻蚀，接着对所述第一多晶硅层进行过刻蚀；在第二工艺气体氛围下，对所述二氧化硅层进行主刻蚀，接着对所述二氧化硅层进行过刻蚀；在所述第一工艺气体氛围下，对所述第二多晶硅层进行主刻蚀，接着对所述第二多晶硅层进行过刻蚀；所述第一工艺气体氛围为HBr、Cl2和O2的混合气氛，所述HBr、Cl2和O2的混合气氛中HBr、Cl2和O2的摩尔比范围为1:1.6～3:0.01～0.05；所述第二工艺气体氛围为CF4和CHF3的混合气氛，所述CF4和CHF3的混合气氛中CF4和CHF3的摩尔比范围为3～5:4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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