[发明专利]芯片封装及形成芯片封装的方法有效

专利信息
申请号: 201310145102.8 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN103377957B 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 吴顺禄;李瑞家;M.门格尔;S.施密德;H.托尔维斯滕 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/29
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 马永利,刘春元
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及芯片封装及形成芯片封装的方法。实施例提供了一种形成芯片封装的方法。方法可以包括在载体上附着至少一个芯片,该芯片包括与载体相对的芯片表面上的多个芯片焊盘;在载体和芯片的芯片焊盘上沉积第一粘合层,第一粘合层包括锡或铟;在第一粘合层上沉积第二粘合层,第二粘合层包括硅烷有机材料;以及在第二粘合层和芯片上沉积层压层或密封层。
搜索关键词: 芯片 封装 形成 方法
【主权项】:
一种形成芯片封装的方法,该方法包括:在载体上附着至少一个芯片,该芯片包括与载体相对的芯片表面上的多个芯片焊盘;在载体和芯片的芯片焊盘上沉积第一粘合层,该第一粘合层包括锡或铟;在第一粘合层上沉积第二粘合层,该第二粘合层包括硅烷有机材料;以及在第二粘合层和芯片上沉积层压层或密封层。
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