[发明专利]单晶双光源发光元件有效
| 申请号: | 201310141727.7 | 申请日: | 2013-04-22 |
| 公开(公告)号: | CN104103659B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
| 发明(设计)人: | 吴庆辉 | 申请(专利权)人: | 东贝光电科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明是揭露一种单晶双光源发光元件,其包含一第一磊晶层、至少一基板及一第二磊晶层。其中,该第一磊晶层包含具有n型导电型结构的一第一n型半导体层、具有多量子井结构的一第一发光层以及具有p型导电型结构的一第一p型半导体层。该基板设置于该第一磊晶层的一侧。该第二磊晶层相对应该第一磊晶层的位置设置于该基板的另一侧,包含具有n型导电型结构的一第二n型半导体层、具有多量子井结构的一第二发光层以及具有p型导电型结构的一第二p型半导体层。因此,本发明可通过该第一磊晶层及该第二磊晶层分别控制而发出单色或双色的光源。 | ||
| 搜索关键词: | 单晶双 光源 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种单晶双光源发光元件,其特征在于,其包含:一第一磊晶层,包含具有n型导电型结构的一第一n型半导体层、具有多量子井结构的一第一发光层以及具有p型导电型结构的一第一p型半导体层,以发出一第一光源;一单一基板,设置于该第一磊晶层的一侧;一第二磊晶层,相对应该第一磊晶层的位置设置于该基板的另一侧,包含具有n型导电型结构的一第二n型半导体层、具有多量子井结构的一第二发光层以及具有p型导电型结构的一第二p型半导体层,以发出一第二光源;一第一电极,是远离该基板而设置于该第一磊晶层的该第一n型半导体层的一侧;一第一反射层,设置于该第一磊晶层的该第一p型半导体层的一侧;一第一接合层,设置于该第一反射层与该基板间;以及一第一绝缘部,插设于该第一反射层间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





