[发明专利]晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法无效
| 申请号： | 201310139686.8 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103232245A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 罗绍华;耿桂宏;陈宇红 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 | 代理人： | 李富华 |
| 地址： | 110004 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于陶瓷技术和二次资源综合利用技术领域的一种晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法。本发明利用金刚石线切割晶硅的废弃物中的高纯Si粉和多丝线切割晶硅废料中易收集的SiC微粉，混合氮化反应常压烧结制备氮化硅结合碳化硅陶瓷。对于降低生产成本，二次资源利用，改善环境，控制产品质量，提高陶瓷制品的制成率具有很大作用，特别适合于作为低压铸造升液管用氮化硅结合碳化硅复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 废弃 制备 氮化 复合 碳化硅 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
一种晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，以金刚石线切割晶硅废料Si粉和多丝线切割晶硅废料中的SiC微粉为主原料，Al2O3、Y2O3和Fe2O3为烧结助剂，主原料按配比称量后，经过球磨、烘干、造粒和成型，加入烧结助剂，在高纯氮气气氛下，以1℃/min升温至800℃保温2h，升温至1150℃并保温4h，最后升温至1550℃‑1650℃，氮化烧结5‑10h，烧结体即为氮化硅复合碳化硅复相陶瓷。
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