[发明专利]高性能半导体电子器件有效
| 申请号： | 201310138569.X | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103227199A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王越;蔡勇;于国浩;董志华;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高性能半导体电子器件，包括分布在衬底上的异质结结构和导电电极，所述导电电极包括源、漏、栅极，其中异质结结构主要由上、下层异质材料组成，上、下层异质材料界面处形成有量子阱限定的二维电子气，并且该半导体电子器件采用台面隔离结构，且除台面以外的区域均不存在缓冲层，同时导电电极与台面侧壁之间至少还设有一介质层，而至少衬底内对应于所述台面的区域由绝缘或半绝缘材料构成。优选的，异质结结构上端面还可分布有沟道阵列，该沟道阵列包括并行排布的若干微纳米沟道。本发明能够有效降低或杜绝器件由于缓冲层缺陷、缓冲层和衬底界面态载流子等产生的漏电问题，进而有效提升器件性，适用于各种基于异质结的半导体电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 半导体 电子器件 | ||
【主权项】：
一种高性能半导体电子器件，包括分布在衬底上的异质结结构和导电电极，所述导电电极包括源极、漏极和栅极，其中，所述异质结结构主要由上、下层异质材料组成，所述上、下层异质材料界面处形成有量子阱限定的二维电子气，其特征在于，所述半导体电子器件采用台面隔离结构，且除台面以外的区域均不存在缓冲层，而至少所述衬底内对应于所述台面的区域由绝缘或半绝缘材料构成。
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