[发明专利]一种发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201310137120.1 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103258945A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 夏德玲;赵志伟 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法。一种发光二极管，至少包含：外延基板；n型半导体，位于所述外延基板表面之上；发光层，位于所述n型半导体表面之上；p型半导体，位于所述发光层表面之上；p型电极，位于所述p型半导体表面之上；n型电极，位于局部裸露的n型半导体表面之上；所述n型半导体的上表面定义为第一表面，所述n型电极的上表面定义为第二表面，第一表面不低于所述第二表面。此可解决高功率发光二极管的电流局限以及金属电极吸光的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包含：外延基板；n型半导体，位于所述外延基板表面之上；发光层，位于所述n型半导体表面之上；p型半导体，位于所述发光层表面之上； p型电极，位于所述p型半导体表面之上；n型电极，位于局部裸露的n型半导体表面之上，并与所述p型电极同侧；所述n型半导体的上表面定义为第一表面，所述n型电极的上表面定义为第二表面，第一表面不低于所述第二表面。
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