[发明专利]一种水平阵列ZnO纳米线及其制备方法无效
| 申请号： | 201310136467.4 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103183373A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 向钢;任红涛;张析 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 黄幼陵 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种水平阵列ZnO纳米线及其制备方法，该水平阵列ZnO纳米线在蓝宝石基底平面上沿着三个相互等价的 |
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| 搜索关键词： | 一种 水平 阵列 zno 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种水平阵列ZnO纳米线，其特征在于所述水平阵列ZnO纳米线在蓝宝石基底平面上沿着三个相互等价的![]()
方向生长。
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