[发明专利]一种等离子刻蚀腔体表面防护涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201310134038.3 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103215535A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 吴杰;金花子;沈艳芳;李鸣;熊天英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C4/10 | 分类号： | C23C4/10;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路芯片（晶片）等离子体刻蚀领域，具体为一种等离子刻蚀腔体表面防护涂层的制备方法。采用纯Al粉末和Y2O3-A12O3粉末的混合粉末制备等离子刻蚀腔体表面防护涂层，利用高速气流将Al粉末和Y2O3-A12O3粉末的混合粉末直接喷涂于离子刻蚀腔体表面，通过控制喷涂参数：喷射距离5～50mm、气体压强0.5～5.0MPa、气体温度为260～520℃、气流流量为10～30g/s、粉末粒度为1～50μm，使混合粉末沉积在等离子刻蚀腔体的内表面上，形成均匀分布的防护涂层，该涂层可以在等离子刻蚀腔体中原位钝化。该涂层能减少或阻止腐蚀性气体对腔体的腐蚀和金属离子对半导体晶片的污染，提高等离子体刻蚀晶片生产中反应室腔体材料的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 体表 防护 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子刻蚀腔体表面防护涂层的制备方法，其特征在于，采用纯Al粉末和Y2O3‑A12O3粉末的混合粉末制备等离子刻蚀腔体表面防护涂层，利用高速气流将Al粉末和Y2O3‑A12O3粉末的混合粉末直接喷涂于离子刻蚀腔体表面，通过控制喷涂参数：喷射距离5～50mm、气体压强0.5～5.0MPa、气体温度为260～520℃、气流流量为10～30g/s、粉末粒度为1～50μm，使混合粉末沉积在等离子刻蚀腔体的内表面上，形成均匀分布的防护涂层；其中，纯Al粉末和Y2O3‑A12O3粉末的重量比例为（0.1～1）：1；Y2O3‑A12O3粉末中，Y2O3与A12O3的重量比为（2.0～2.3）：1。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
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C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
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