[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201310133306.X | 申请日： | 2013-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103258745A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 任庆荣;郭炜;卜倩倩;赵磊;王路;姜志强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，涉及显示，解决形成层间过孔时，刻蚀不均匀、没刻蚀透、过度刻蚀等问题，降低工艺不良率。本发明提供一种阵列基板制备方法，包括：形成有源层，所述形成有源层之后，还包括：在所述有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，用以在刻蚀所述层间过孔时保护所述有源层；所述有源层与源、漏电极通过所述层间过孔连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，包括：形成有源层，其特征在于，所述形成有源层之后，还包括：在所述有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，用以在刻蚀所述层间过孔时保护所述有源层；所述有源层与源、漏电极通过所述层间过孔连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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