[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310128627.0 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN103378167A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李正吉;林泰洙;林炫锡;尹基炫;韩赫;李明范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一多晶硅图案，在该衬底上；金属图案，在该第一多晶硅图案上；以及界面层，在该第一多晶硅图案与该金属图案之间。该界面层可包括从金属－硅氮氧化物层、金属－硅氧化物层以及金属－硅氮化物层的组中选择的至少之一。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一多晶硅图案，在该衬底上；金属图案，在该第一多晶硅图案上；以及界面层，在该第一多晶硅图案与该金属图案之间，其中，该界面层包括从金属－硅氮氧化物层、金属－硅氧化物层以及金属－硅氮化物层的组中选择的至少之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310128627.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于电机的机器零件的极靴结构
- 下一篇：一种七彩底灯按摩浴缸
- 同类专利
- 专利分类
