[发明专利]反熔丝电路及其编程方法、反熔丝结构有效
| 申请号： | 201310125660.8 | 申请日： | 2013-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104103319B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种反熔丝电路及其编程方法、反熔丝结构，其中反熔丝结构，包括半导体衬底；位于半导体衬底上的PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极位于半导体衬底上，所述栅极具有第一部分和位于第一部分两端的第二部分，第二部分的宽度小于第一部分的宽度，PMOS晶体管的源区和漏区位于栅极的第一部分和第二部分两侧的半导体衬底内，其中，在对反熔丝进行编程时，PMOS晶体管的源区和漏区在热载流子穿通效应的作用下发生穿通。所述反熔丝结构在编程后的稳定性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 电路 及其 编程 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种反熔丝电路，其特征在于，包括：PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极位于半导体衬底上，所述栅极具有第一部分和位于第一部分两端的第二部分，第二部分的宽度小于第一部分的宽度，PMOS晶体管的源区和漏区位于栅极的第一部分和第二部分两侧的半导体衬底内，PMOS晶体管的栅极与驱动电源端相连，PMOS晶体管的源区与编程电源端相连；NMOS晶体管，NMOS晶体管的栅极与编程控制电源端相连，NMOS晶体管的漏区与PMOS晶体管的漏区相连，NMOS晶体管的源极接地；其中，对反熔丝进行编程时，在编程控制电源端施加编程控制电压，NMOS晶体管导通，在驱动电源端施加驱动电压，PMOS晶体管关断，编程电源端施加编程电压，PMOS晶体管的源区和漏区在热载流子穿通效应的作用下发生穿通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310125660.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半实物仿真转台用电气限位保护模块
- 下一篇：智能电源控制器
