[发明专利]石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法有效
申请号: | 201310124248.4 | 申请日: | 2013-04-11 |
公开(公告)号: | CN103579043B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 李周浩;郑镛席;金容诚;李昌承;文彰烈 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括电极;石墨烯结构,包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层;电源单元,在电极和金属催化剂层之间施加电压;槽,容纳电极和石墨烯结构;以及在槽中准备的电解液。 | ||
搜索关键词: | 石墨 器件 制造 装置 使用 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯器件制造方法,包括:形成石墨烯结构,该石墨烯结构包括基板、形成在所述基板上的金属催化剂层、形成在所述金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在所述石墨烯层上的保护层;通过因化学反应而在所述基板和所述金属催化剂层之间产生气泡,使所述金属催化剂层与所述基板分离;去除与所述基板分离的所述金属催化剂层;在目标基板上形成目标绝缘层之后,使所述石墨烯层接触所述目标绝缘层;以及使所述石墨烯层接触所述目标绝缘层之后,去除所述保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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