[发明专利]一种多晶硅的铸锭方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅的铸锭方法，涉及硅的生长制造技术领域。所述方法包括以下步骤：碎硅片准备→硅片准备→坩埚装料→控制加热条件，使坩埚上面硅料熔化→控制碎硅片部分熔化→长晶阶段→退火阶段→冷却阶段。所述方法使用碎硅片生产硅锭，大大降低了生产成本；因使用碎硅片作为晶体生长的籽晶，可以生长得到具有结构均匀的小晶粒硅锭，晶粒之间的大小不会出线较大的差异，不会导致电池PECVD镀膜出现较大的色差，继而不会影响到后续太阳能电池组件的制造，提高了太阳能电池组件的转换效率。

主权项

一种多晶硅的铸锭方法，其特征在于包括以下步骤：（1）选取经过清洗后的硅片和碎硅片，将上述硅片水平铺设在坩埚的底部，保证硅片之间没有间隙，在坩埚底部四周铺设经过清洗后的边皮料，将碎硅片铺设到硅片上，然后在碎硅片上添加掺杂剂和原硅料、回收硅料；（2）将放置有上述硅料的坩埚放置于铸锭炉内进行抽真空并加热，此步分为两个阶段，第一阶段为功率加热控制，进行分段升温；第二阶段为融化控制，采用温度加热，使铸锭炉上部的硅料融化；等上部的硅料开始溶化后，使用玻璃棒持续对坩埚中的液面进行测量，保证位于坩埚底部的碎硅片部分熔化，然后进入长晶阶段；（3）在长晶阶段，此时通过控制铸锭炉内的温度并将隔热笼慢慢提升，使得坩埚底部的硅料开始由液态转化为固态，将加热器分段降温，在降温过程中液体硅从底部开始慢慢固化，使硅晶体沿着未熔化的晶体硅碎片的方向进行生长，然后进入退火阶段；（4）在退火阶段，控制铸锭炉内的温度和退火时间，隔热笼处于关闭状态，通过退火，使得晶体内部结构的应力减少，最后进入冷却阶段；（5）在冷却阶段，将隔热笼慢慢提升至最大，使得铸锭炉内部的热量充分得到冷却，铸锭炉内部的压力慢慢恢复到标准大气压，最后得到晶体结构均匀的小晶粒硅锭。