[发明专利]一种等离子体刻蚀方法无效
| 申请号： | 201310119809.1 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103233273A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 涂亮亮;江成龙;叶小辰;石剑舫;盛建明 | 申请（专利权）人： | 常州同泰光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;H01L21/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213000 江苏省常州市武进区高新技术产业开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体刻蚀方法，包括以下步骤：1）将表面具有光胶刻图形的蓝宝石衬底装入ICP刻蚀设备中；2）通入三氯化硼和氢气的混合气体对蓝宝石衬底进行刻蚀；3）刻蚀完成后进行衬底表面的清洁。本发明中介绍的方法是一种新型干法刻蚀PSS技术，该方法的使用更加有利于其图案的可控性、均匀性改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀方法，其特征在于包括以下步骤：1）将表面具有光胶刻图形的蓝宝石衬底装入ICP刻蚀设备中；2）通入三氯化硼和氢气的混合气体对蓝宝石衬底进行刻蚀；3）刻蚀完成后进行衬底表面的清洁。
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