[发明专利]OTP存储器有效
| 申请号： | 201310119765.2 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103219046B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 彭泽忠;方中岳;张强 | 申请（专利权）人： | 成都凯路威电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙)51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | OTP存储器，涉及集成电路。本发明包括检测放大器和至少4个存储单元组成的阵列，每个存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和栅电容，其特征在于，在每个存储单元中，第二晶体管的漏极通过开关管与第二位线连接，开关管的控制端连接到行控制线；每一行的存储单元共用一条行控制线。本发明运行的功耗非常低，特别适用于超高频RFID。 | ||
| 搜索关键词： | otp 存储器 | ||
【主权项】：
OTP存储器，包括检测放大器和至少4个存储单元组成的阵列，每个存储单元包括第一晶体管(E1)、第二晶体管(E2)和栅电容，第一晶体管(E1)和第二晶体管(E2)都包括控制端、第一连接端和第二连接端，第一晶体管(E1)的第一连接端和栅电容连接，第一晶体管(E1)的第一连接端还与第二晶体管(E2)的控制端连接，第一晶体管(E1)的第二连接端与第二晶体管(E2)的第二连接端连接到第一位线，其特征在于，在每个存储单元中，第二晶体管(E2)的第一连接端通过开关管与第二位线连接，开关管的控制端连接到行控制线；每一行的存储单元共用一条行控制线。
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