[发明专利]单路隔离型MOSFET驱动电路有效
申请号: | 201310119686.1 | 申请日: | 2013-04-08 |
公开(公告)号: | CN103199677A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 王议锋;王成山;车延博;张轶强 | 申请(专利权)人: | 乐金电子研发中心(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 201206 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种单路隔离型MOSFET驱动电路,包括电平变换及脉冲驱动电路、脉冲变压器、磁复位电路以及加速关断电路;电平变换及脉冲驱动电路用于对输入的脉冲信号进行电平变换和功率放大,以驱动所述脉冲变压器工作;磁复位电路用于使得脉冲变压器可靠磁复位;加速关断电路用于加快所述MOSFET管的开通和关断,其包括一电容、第二电阻、第三电阻与一PNP型三极管;电容的一端与脉冲变压器的副边同名端相连接,另一端连接第二电阻,第二电阻的另一端连接MOSFET管的栅极;第三电阻与所述电容并联;PNP型三极管的集电极与脉冲变压器的副边非同名端相连,基极与电容连接所述第二电阻的一端相连,发射极与MOSFET管的栅极相连。 | ||
搜索关键词: | 隔离 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种单路隔离型MOSFET驱动电路,其特征在于,包括电平变换及脉冲驱动电路、脉冲变压器、磁复位电路以及加速关断电路;其中,所述电平变换及脉冲驱动电路用于对输入的脉冲信号进行电平变换和功率放大,以驱动所述脉冲变压器工作;所述磁复位电路用于使得所述脉冲变压器可靠磁复位,其包括一二极管与第一电阻组成的串联回路,所述二极管的阴极连接所述脉冲变压器的副边同名端,阳极连接所述第一电阻;所述第一电阻另一端连接所述脉冲变压器的副边非同名端;所述加速关断电路用于加快所述MOSFET管的开通和关断,其包括一电容、第二电阻、第三电阻与一PNP型三极管;所述电容的一端与所述脉冲变压器的副边同名端相连接,另一端连接所述第二电阻,所述第二电阻的另一端连接所述MOSFET管的栅极;所述第三电阻与所述电容并联;所述PNP型三极管的集电极与所述脉冲变压器的副边非同名端相连,基极与所述电容连接所述第二电阻的一端相连,发射极与所述MOSFET管的栅极相连。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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