[发明专利]一种使用金属基纳米纤维复合散热材料封装大尺寸芯片的方法有效
申请号: | 201310119421.1 | 申请日: | 2013-04-08 |
公开(公告)号: | CN103219251A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 刘建影 | 申请(专利权)人: | 上海上大瑞沪微系统集成技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200072 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明主要公开一种能替代导热脂和导热膏应用于大尺寸芯片上的纳米级界面散热材料的封装工艺,具体地说就是那通过电纺技术和高冲压技术制备的金属基纳米纤维复合材料做为界面散热材料,进行回流焊接技术固定大尺寸芯片到印制电路基板上,从而使芯片有更好的散热性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 金属 纳米 纤维 复合 散热 材料 封装 尺寸 芯片 方法 | ||
【主权项】:
一种使用金属基纳米纤维复合散热材料封装大尺寸芯片的方法其特征在于具有以下的过程和步骤:a.把聚酰亚胺PI和二甲基乙酰胺Dimethylacetamide进行1:5配比成溶液,在高压18KV下进行电纺工艺形成纳米纤维网,然后在进行高压把熔融状态下的铟金属冲进纳米纤维网格里,形成金属基纳米纤维界面散热材料。b.把切割成不同尺寸的芯片放入丙酮溶液中,进行超声清洗3分钟,然后用去离子水超声清洗3分钟。c.把芯片放入干法刻蚀机中,对芯片背面进行刻蚀2分钟。d.然后将芯片放入磁空溅射仪器腔内,对芯片刻蚀面进行先溅射厚度为20nm的Ti,再溅射100nm的Au.e.分别涂助焊剂Tacflux012到芯片背面和基板焊盘上,此处焊盘是镀镍寖金(ENIG:Electroless Nickel and Immersion Gold)制作。f.然后把纳米级界面散热材料薄片夹在芯片和基板中间,均匀加压。g.样品放到回流炉里,进行回流焊接,回流条件设定:最高温度:180摄氏度,回流时间180s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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