[发明专利]一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310118141.9 | 申请日： | 2013-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN103199164A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 曾建平;闫建昌;王军喜;丛培沛;孙莉莉;董鹏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有DBR高反射结构。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过所述DBR高反射结构反射后，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明提出的上述其外发光二极管器件及其制作方法工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 dbr 反射 结构 紫外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管装置，该装置依次包括：衬底(11)、AlN成核层(12)、n型AlGaN势垒层(13)、有源区(14)、p型AlGaN势垒层(15)和p型GaN冒层(16)；其中，所述p型AlGaN势垒层(15)上制作有DBR高反射结构(19)，用于将光反射后从器件底部发射出去。
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