[发明专利]包括保护环的半导体器件以及相关的半导体系统有效
| 申请号： | 201310117686.8 | 申请日： | 2013-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN103367449B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张勋;张东殷 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件。半导体器件可以包括衬底和衬底上的晶体管。半导体器件可以包括在与晶体管相邻的衬底中的第一传导类型的第一保护环。半导体器件可以包括在与第一保护环相邻的衬底中的、与第一传导类型相反的第二传导类型的第二保护环。还提供了相关的半导体系统。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 保护环 半导体器件 以及 相关 半导体 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；衬底上的晶体管，该晶体管包括栅极电极、源极电极、以及漏极电极；在与所述晶体管相邻的衬底中的第一传导类型的第一保护环；以及在与第一保护环相邻的衬底中的、与第一传导类型相反的第二传导类型的第二保护环，其中，第一保护环、第二保护环、以及源极电极和漏极电极中的至少一个被配置为接收等效偏压，其中，衬底中第一保护环的深度大于第二保护环的深度，其中，第二保护环配置为阻挡来自漏极电极的电荷移动，以便电荷在第一保护环中聚集。
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