[发明专利]一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜，构成该铁磁多晶薄膜的材料为Zn1-x(TM)xO；其中，TM为过渡金属元素Cu、Co或Mn，且对于Cu，0＜x＜0.03；对于Co和Mn，0＜x＜0.08。本发明还公开了上述过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜的制备方法，由过渡金属及锌的醋酸盐前驱体溶液制备TM掺杂ZnO纳米晶沉淀，然后经分散、旋涂得到过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜，为增强多晶薄膜的铁磁稳定性，改进输运特性，还进行了氢等离子优化处理。该方法工艺简单、成本低廉，可在较大范围内调节掺杂浓度，得到的多晶薄膜致密平整、附着性良好，室温下均表现明显的磁滞回线，可应用于量子自旋器件中。

主权项

一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜，其特征在于，构成所述铁磁多晶薄膜的材料为Zn1‑x(TM)xO；其中，TM为过渡金属元素Cu、Co或Mn，且对于Cu，0＜x＜0.03；对于Co或Mn，0＜x＜0.08。