[发明专利]一种三明治结构硅基薄膜材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201310113508.8 申请日: 2013-04-02
公开(公告)号: CN103144393A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 陶占良;郭爽;李海霞;陈军;程方益;梁静 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: B32B33/00 分类号: B32B33/00;H01M4/13;C23C14/35;C23C14/16
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种三明治结构硅基薄膜材料,由金属层、硅层和金属层构成叠层三明治结构,金属层薄膜的厚度为20-100nm、Si层薄膜的厚度为60nm-9.8μm;其制备方法是:采用金属层的金属靶、Si层的硅靶、金属层的金属靶交替溅射工艺,在基底上先制备金属导电附着层薄膜,然后制备硅薄膜,最后在硅薄膜表面覆盖金属薄层,形成三明治结构。本发明的优点是:三明治结构硅基薄膜用作锂电池负极材料,有效抑制了硅基材料在锂离子脱/嵌过程中较大的体积变化,具有较高的能量密度、循环稳定性和倍率性能;该方法工艺简单,成本较低,有望应用于高能、高功率的薄膜电池中。
搜索关键词: 一种 三明治 结构 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种三明治结构硅基薄膜材料,其特征在于:由金属层(M层)、硅层(Si层)和金属层(M层)构成叠层三明治结构,金属层薄膜的厚度为20‑100nm、Si层薄膜的厚度为60nm‑9.8μm,三层薄膜(M‑Si‑M)的总厚度为0.1‑10.0μm。
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