[发明专利]电熔丝结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310113259.2 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104103623A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;徐依协;朱志炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电熔丝结构及其形成方法，所述电熔丝结构包括：基底，位于所述基底表面的第一导电层，覆盖所述第一导电层和基底的层间介质层，位于所述第一导电层表面且贯穿层间介质层的第一导电插塞，位于所述第一导电插塞和层间介质层表面的第二导电层，其中，所述第一导电层与第一导电插塞的底部表面部分接触或者所述第二导电层与第一导电插塞的顶部表面部分接触。由于所述第一导电插塞与第一导电层、第二导电层部分接触，所述部分接触的位置电阻更大，电场强度更大，电迁移的速率更快，使得所述部分接触的位置更容易被熔断，熔断时间变短，更容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电熔丝结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底表面的第一导电层，覆盖所述第一导电层和基底的层间介质层，位于所述第一导电层表面且贯穿层间介质层的第一导电插塞，位于所述第一导电插塞和层间介质层表面的第二导电层，其中，所述第一导电层与第一导电插塞的底部表面部分接触或者所述第二导电层与第一导电插塞的顶部表面部分接触。
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