[发明专利]一种开关可控的太赫兹波超材料完美吸收器及其控制方法有效
| 申请号： | 201310112820.5 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103247839A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 孟德佳;陈长虹 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;H01P11/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及超材料器件领域，提供了一种开关可控的太赫兹波超材料完美吸收器及其控制方法；包括衬底，位于衬底上的MIT层，位于MIT相变层上的介质层以及位于介质层上的周期排列的金属开口谐振单元；通过改变MIT相变层的电导率实现在金属开口谐振单元谐振频率处吸收器的开或关；本发明利用MIT相变材料相变前后电导率的变化来改变吸收器的吸收率，实现了在金属开口谐振单元谐振频率附近可以实现开与关的太赫兹波MPA，达到了在太赫兹波段对特定频率处的电磁传输特性进行主动性控制，获得大的开关比或调制深度；采用衬底-二氧化钒-介质层-SRRs四层结构的开关可调MPA，通过外场控制二氧化钒的电导率，从而实现对MPA吸收率的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开关 可控 赫兹 材料 完美 吸收 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种开关可控的太赫兹波超材料完美吸收器，其特征在于，包括衬底，位于衬底上的MIT相变层，位于MIT相变层上的介质层以及位于介质层上的周期排列的金属开口谐振单元；通过改变MIT相变层的电导率实现在金属开口谐振单元谐振频率处吸收器的开或关。
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