[发明专利]一种钙钽基微波介质薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201310112040.0 | 申请日: | 2013-04-02 |
公开(公告)号: | CN103214242A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 周静;李润润;陈文;沈杰;祁琰媛;朱泉峣;孙华君;曹越 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 张安国;伍见 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种钙钽基微波介质薄膜及其制备方法。该薄膜由氧化物形式的Ca和Mg及Ta与Ni、Zn或Co组成,以通式Ca(Mg1-x/3Ax/3Ta2/3)O3表示,式中0.1≤x≤0.9,A为二价Ni、Zn或Co元素。该薄膜材料相对介电常数εr≥25;品质因子Qf≥19000;谐振频率温度系数为-10ppm/℃≤τf≤10ppm/℃。该薄膜采用Pechini方法制备微波介质薄膜溶液,使用液相旋涂,在氧气氛下热处理以制得钙钽基微波介质薄膜。本微波介质薄膜可用于各种介质谐振器、滤波器等各种微波器件的制造,可满足移动通信、卫星通信等系统的技术需要,特别在微波集成电路中对微波电炉的集成化和薄膜化具有重要作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钽基 微波 介质 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钙钽基微波介质薄膜,其特征在于:该薄膜由氧化物形式的Ca和Mg及Ta与Ni、Zn或Co组成,以通式Ca(Mg1‑x/3Ax/3Ta2/3)O3表示,式中0.1≤x≤0.9,A为二价Ni、Zn或Co,该钙钽基微波介质薄膜材料相对介电常数εr≥25;品质因子Qf≥19000;谐振频率温度系数τf接近零为‑10ppm/℃≤τf≤10ppm/℃。
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