[发明专利]悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310107133.4 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103633203A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王永进;于庆龙;高绪敏;施政;曲颖;贺树敏;李欣;王镇海 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 悬空 氮化物 薄膜 led 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，其特征在于：其包含硅材料（1）、氮化镓材料（2）、谐振光栅（3）、LED结构（4）、N‑GaN接触层（5）、n‑电极（Ti/Al）（6）、量子阱（7）、P‑GaN接触层（8）、ITO电流扩展层（9）、p‑电极（Ni/Au）（10）、SiO2隔离层（11）、金属反射镜（12），LED器件（4）制作在硅衬底上（1）的氮化镓层（2）上，硅衬底层（1）上是N‑GaN接触层（5）、量子阱（7），N‑GaN接触层（5）上表面是n‑电极（6），n‑电极（6）是由Ti/Al组成，P‑GaN接触层（8）上表面是ITO电流扩展层（9），ITO电流扩展层（9）上表面是p‑电极（10），p‑电极（10）是由Ni/Au组成，在氮化镓层（2）上，设计了LED发光器件；包括LED结构（4），谐振光栅（3）纳米结构；在n‑电极（6）、p‑电极（10）、LED结构（4）、谐振光栅（3）表面覆盖一层SiO2隔离层。
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