[发明专利]第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体有效
| 申请号： | 201310105474.8 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103367113A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司;小盐高英;柴田直树;天野浩 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/34;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体。所述用于制造第III族氮化物半导体的方法包括：在衬底的主表面上形成凸台；以及沿着第III族氮化物半导体的c轴方向生长第III族氮化物半导体，其中在生长的第III族氮化物半导体的低指数面中与凸台或凹部的侧表面最平行的面是m面(1-100)，以及在将通过使加工的侧表面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量定义为侧面矢量时，在侧面矢量与通过将生长的第III族氮化物半导体的m面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量之间的角为0.5°以上且6°以下。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造第III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：在衬底的主表面上形成凸台和凹部；以及在所述凸台的顶表面和所述凹部的底表面上沿着第III族氮化物半导体的c轴方向生长所述第III族氮化物半导体，其中所述凸台和所述凹部的侧表面形成为满足以下条件：在所生长的第III族氮化物半导体的低指数面中与所述侧表面最平行的面是m面(1‑100)；以及在将通过使所述侧表面的法向矢量正交投影至所述主表面所获得的投影矢量定义为侧面矢量时，由所述侧面矢量与通过将所生长的第III族氮化物半导体的所述m面的法向矢量正交投影至所述主表面所获得的投影矢量形成的角为0.5°以上且6°以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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