[发明专利]一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310104481.6 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103151459A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;孙阔;王芳;陆涛;孙文翔;韦晓莹;王宝林;冯玉林;赵金石 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构；其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制备各层薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氮氧化铪和金属铪薄膜的叠层结构作为阻变层，set过程时氮氧化铪中的氮抑制了过渡的氧空位的产生，提高了低阻态的电阻，降低了器件的reset电流，降低了器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 功耗 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，其特征在于：由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构。
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