[发明专利]逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 201310102479.5 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103855000A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朱阳军;张文亮;胡爱斌;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法，包括：提供一轻掺杂层，通过嬗变掺杂工艺形成所述逆阻型绝缘栅双极晶体管的终端结构，退火处理。所述终端结构在轻掺杂层内掺杂的区域分明，横向扩散较小，节省了逆阻型绝缘栅双极晶体管的终端所占用的面积，降低了逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 逆阻型 绝缘 双极晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供一轻掺杂层；通过嬗变掺杂工艺形成所述逆阻型绝缘栅双极晶体管的终端结构；退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
