[发明专利]具有梯形结构的N型插入层的LED外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201310099202.1 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103165777A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李刚;郭丽彬;蒋利民 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
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| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有梯形结构的N型插入层的LED外延片及其生长方法。所述外延片的结构自下而上依次为衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一N型GaN层、N型AlGaN插入层、第二N型GaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层；所述N型AlGaN插入层为梯形结构。具体为，在第一N型GaN层上生长由N型AlGaN层a、b和c组成的N型AlGaN插入层，所述N型AlGaN层a、b、c中Ga的摩尔组分含量保持不变，Al的摩尔组分含量依次为逐渐升高、保持不变、逐渐降低。本发明通过在N型GaN层中插入梯形结构的N型AlGaN层，一方面有效降低量子阱区域的位错密度，另一方面减少因N型AlGaN层的引入而对电子纵向迁移的影响，从而提高氮化镓基LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 梯形 结构 插入 led 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种具有梯形结构的N型插入层的LED外延片，其特征在于，所述外延片的结构自下而上依次为衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一N型GaN层、N型AlGaN插入层、第二N型GaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层；所述N型AlGaN插入层为梯形结构。
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