[发明专利]MEMS传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310094691.1 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103449354A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 小林俊宏;宫武亨;矢泽久幸;大川尚信;宇都宜隆 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种与以往相比尤其是具有粘附抑制效果高的限动部结构的MEMS传感器及其制造方法。该MEMS传感器的特征在于，具有：功能层(9)，其具有被支承为在高度方向上能够进行位移的可动部；对置构件，其与功能层隔开间隔而对置配置，其中，在对置构件上的与可动部对置的位置设有限动部(46)，该限动部(46)限制可动部的向高度方向的位移，限动部(46)具有Ti层(48)和使Ti层的表面氧化而得到的氧化Ti层(49)，氧化Ti层(49)的表面构成限动部表面(46a)，氧化Ti层的膜厚(H2)在2.5nm以上且10nm以下的范围内形成。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS传感器，其特征在于，具有：功能层，其具有被支承为在高度方向上能够进行位移的可动部；对置构件，其在高度方向上与所述功能层隔开间隔而对置配置，在所述对置构件上的与所述可动部对置的位置设有限动部，该限动部限制所述可动部的向高度方向的位移，所述限动部具有Ti层和使所述Ti层的表面氧化而得到的氧化Ti层，所述氧化Ti层构成所述限动部的表面层，所述氧化Ti层的膜厚在2.5nm以上且10nm以下的范围内形成。
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