[发明专利]一种光刻设备垂向动态曝光方法及装置无效
| 申请号： | 201310090953.7 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104062853A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 施忞;章磊;夏志鹏 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种光刻设备垂向动态曝光方法，用于将掩模版图形通过投影物镜系统曝光成像在工件台的硅片上，其特征在于：具体包括如下步骤：（1）对准工件台，找到最佳焦面，并使最佳焦面位于硅片的光刻胶顶部；（2）根据光刻胶厚度及曝光时间，计算工件台的运动速度，所述运动速度为光刻胶厚度除以曝光时间；（3）曝光时工件台按照运动速度垂向匀速上升，整个曝光过程中工件台移动的距离等于光刻胶涂层的厚度，曝光完成时使工件台的最佳焦面停留在光刻胶涂层的底部；（4）曝光结束后，工件台停止运动并开始后烘和显影过程。本发明还提出垂向动态曝光装置。本发明通过在曝光过程中，使工件台在垂向匀速移动，并且在移动过程中进行连续曝光，可以有效地增加厚胶工艺中反胶所形成的倒梯形图形的倾斜度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 设备 动态 曝光 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种光刻设备垂向动态曝光方法，用于将掩模版图形通过投影物镜系统曝光成像在工件台的硅片上，其特征在于：具体包括如下步骤：（1）对准工件台，找到最佳焦面，并使最佳焦面位于硅片的光刻胶顶部；（2）根据光刻胶厚度及曝光时间，计算工件台的运动速度，所述运动速度为光刻胶厚度除以曝光时间；（3）曝光时工件台按照运动速度垂向匀速上升，整个曝光过程中工件台移动的距离等于光刻胶涂层的厚度，曝光完成时使工件台的最佳焦面停留在光刻胶涂层的底部；（4）曝光结束后，工件台停止运动并开始后烘和显影过程。
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