[发明专利]改善沟槽与介质层掩膜线宽偏差的干法刻蚀工艺方法

摘要

本发明公开了一种改善沟槽与介质层掩膜线宽偏差的干法刻蚀工艺方法，包括步骤1、涂胶和图形曝光，具体的为涂布光刻胶，定义RFLDMOS金属钨通道的尺寸大小，进行图形曝光；步骤2、轻聚合物介质膜刻蚀，具体为用所述光刻胶做阻挡层，通过步骤1中定义的所述金属钨通道的尺寸，把介质膜打开，形成开口；步骤3、重聚合物介质膜刻蚀，具体为在所述介质膜的开口的侧壁淀积一层重聚合物；步骤4、深沟槽刻蚀，具体的为利用高能量等离子体，进行硅衬底的刻蚀，形成深沟槽；步骤5、重聚合物和光刻胶去除与清洗；步骤6、金属钨填充。本发明能提高器件的可靠性。

主权项

一种改善沟槽与介质层掩膜线宽偏差的干法刻蚀工艺方法，其特征在于，包括：步骤1、涂胶和图形曝光，具体的为在硅衬底上形成介质膜，在所述介质膜上涂布光刻胶，定义RFLDMOS金属钨通道的尺寸大小，进行图形曝光；步骤2、轻聚合物介质膜刻蚀，具体为用所述光刻胶做阻挡层，通过步骤1中定义的所述金属钨通道的尺寸，把介质膜打开，形成开口；把介质膜打开为以刻穿所述介质膜为主，主要以气体C4F8和氧气为主，压力为5‑40毫托，上部电极功率为1800‑2500W,下部电极功率为1000‑1500W，时间为3‑6分钟；步骤3、重聚合物介质膜刻蚀，具体为在所述介质膜的开口的侧壁淀积一层重聚合物；步骤4、深沟槽刻蚀，具体的为利用高能量等离子体，在所述介质膜的开口的下方进行硅衬底的刻蚀，形成深沟槽；步骤5、重聚合物和光刻胶去除与清洗；步骤6、金属钨填充；其中，所述轻聚合物介质膜刻蚀为参加刻蚀反应的气体氟和炭的比例大于3.0，所述重聚合物介质膜刻蚀为参加刻蚀反应的气体氟和炭的比例小于等于3.0，所述重聚合物为聚合物中所含的氟和炭的比例小于等于3。