[发明专利]自参考型MRAM元件及其读取方法有效
| 申请号： | 201310088320.2 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103247330B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | L·隆巴尔;K·马凯;I·L·普雷贝努 | 申请（专利权）人： | 克罗科斯科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C5/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,刘春元 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开涉及一种自参考型MRAM元件，包括具有磁阻的磁隧道结，包括存储层，具有当该磁隧道结处于低温阈值时沿着第一方向被牵制的存储磁化强度；感测层，具有感测磁化强度；以及包括在该存储层和该感测层之间的隧道阻挡层；以及对准设备，被布置用于沿着与该第一方向的基本上垂直的第二方向提供具有磁各向异性的感测磁化强度，使得该感测磁化强度围绕该第二方向而被调整；该对准设备进一步被布置，使得当提供第一读取磁场时，该磁隧道结的阻抗变化范围至少是磁阻的大约20％。该自参考型MRAM单元可以在增加的可靠性的情况下被读取并且具有降低的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 线性 信号 参考 mram 元件 | ||
【主权项】：
自参考型的随机存取存储器元件，包括：具有结阻抗的磁隧道结，包括：存储层，具有当磁隧道结处于低温阈值时沿着第一方向被牵制的存储磁化强度；感测层，具有感测磁化强度；以及隧道阻挡层，被包括在所述存储层和所述感测层之间；所述磁隧道结具有与高结阻抗值和低结阻抗值之间的差相对应的磁阻，在所述高结阻抗值处所述感测磁化强度反平行于所述存储磁化强度，以及在所述低结阻抗值处所述感测磁化强度平行于所述存储磁化强度；该随机存取存储器元件进一步包括：对准设备，被布置用于沿着与所述第一方向垂直的第二方向提供具有磁各向异性的感测磁化强度；以及第一场线，用于提供第一读取磁场，其适于围绕所述第二方向调整所述感测磁化强度，以便在至少是所述磁阻的20%的范围内改变所述结阻抗；所述对准设备被进一步布置，使得所述结阻抗在所述范围内线性变化。
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