[发明专利]太阳能电池有效
| 申请号： | 201310086279.5 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103325860A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 沈承焕;金基修;尹银彗;黄有珠;李永贤;朴相昱 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，所述发射极区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，并位于所述半导体衬底的第一表面处；半导体区，所述半导体区直接位于所述半导体衬底的与所述第一表面相反的第二表面上，在所述半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，所述第一电极位于所述半导体衬底的第一表面上，并与所述发射极区相连接；以及第二电极，所述第二电极位于所述半导体衬底的第二表面上，并与所述半导体衬底相连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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