[发明专利]一种基于CMUT的温度传感器及制备和应用方法

摘要

本发明提供一种基于CMUT的温度传感器及制备和应用方法，基于CMUT的温度传感器，其总体结构由温度敏感薄膜和基座两大部分组成；其中温度敏感薄膜自上而下由高热膨胀系数金属层和二氧化硅薄膜组成，其中基座上部中间部分设置有空腔和围绕空腔的二氧化硅支柱，基座下部中间部分设置有下电极、围绕下电极的应力释放凹槽；所述温度传感器的基本工作原理为：通过温度敏感层对温度变化的敏感性引起的CMUT电参数的变化来实现温度的检测，相对于悬臂梁式温度传感器，具有结构坚固、能用高温度冲击等恶劣环境以及能实现高灵敏度温度检测的优点，为温度检测开辟了新途径。

主权项

一种基于CMUT的温度传感器，其特征在于：其总体结构由温度敏感薄膜（1）和基座（2）两大部分组成；其中温度敏感薄膜（1）自上而下由高热膨胀系数金属层（3）和二氧化硅薄膜（4）组成，高热膨胀系数金属层（3）同时作为温度传感器的上电极；其中基座（2）上部中间部分设置有空腔（5）和围绕空腔的二氧化硅支柱（6），基座下部中间部分设置有下电极（7）、围绕下电极的应力释放凹槽（8），下电极（7）和应力释放凹槽（8）表面覆盖有氮化硅层（9），氮化硅层（9）上开设有下电极电连接窗口（10）。