[发明专利]静电放电防护装置及其电子装置有效

专利信息
申请号: 201310084509.4 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN103985706B 公开(公告)日: 2017-07-25
发明(设计)人: 陈哲宏 申请(专利权)人: 密克罗奇普技术公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 王允方
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种静电放电防护装置及其电子装置,其包括基板、P型阱、N型阱与隔离部。P型阱与N型阱形成于基板中且彼此相邻。沿特定方向,P型阱包括依序设置于其上的第一N型、第一P型、第二N型、第二P型与第三N型高掺杂区,且N型阱包括依序设置于其上的第三P型、第四N型、第四P型、一第五N型与第五P型高掺杂区。第一N型、第三N型、第一P型与第二P型高掺杂区耦接于接地端,第三P型、第五P型、第四N型与第五N型高掺杂区耦接于供电电压端,第二N型与第四P型高掺杂区耦接于输入/输出端。
搜索关键词: 静电 放电 防护 装置 及其 电子
【主权项】:
一种静电放电防护装置,其特征在于,包括:一基板;一第一P型阱,形成于该基板中,该第一P型阱包括沿一特定方向依序设置于其上的一第一N型高掺杂区、一第一P型高掺杂区、一第二N型高掺杂区、一第二P型高掺杂区与一第三N型高掺杂区,其中该第一、第三N型高掺杂区与该第一、第二P型高掺杂区耦接于一第一接地端;以及一第一N型阱,形成于该基板,相邻于该第一P型阱,该第一N型阱包括沿该特定方向依序设置于其上的一第三P型高掺杂区、一第四N型高掺杂区、一第四P型高掺杂区、一第五N型高掺杂区与一第五P型高掺杂区,其中该第三、第五P型高掺杂区与该第四、第五N型高掺杂区耦接于一第一供电电压端,该第二N型高掺杂区与该第四P型高掺杂区耦接于一第一输入/输出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于密克罗奇普技术公司,未经密克罗奇普技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310084509.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top