[发明专利]静电放电防护装置及其电子装置有效
| 申请号: | 201310084509.4 | 申请日: | 2013-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN103985706B | 公开(公告)日: | 2017-07-25 |
| 发明(设计)人: | 陈哲宏 | 申请(专利权)人: | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 王允方 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
| 摘要: | 本发明公开了一种静电放电防护装置及其电子装置,其包括基板、P型阱、N型阱与隔离部。P型阱与N型阱形成于基板中且彼此相邻。沿特定方向,P型阱包括依序设置于其上的第一N型、第一P型、第二N型、第二P型与第三N型高掺杂区,且N型阱包括依序设置于其上的第三P型、第四N型、第四P型、一第五N型与第五P型高掺杂区。第一N型、第三N型、第一P型与第二P型高掺杂区耦接于接地端,第三P型、第五P型、第四N型与第五N型高掺杂区耦接于供电电压端,第二N型与第四P型高掺杂区耦接于输入/输出端。 | ||
| 搜索关键词: | 静电 放电 防护 装置 及其 电子 | ||
【主权项】:
一种静电放电防护装置,其特征在于,包括:一基板;一第一P型阱,形成于该基板中,该第一P型阱包括沿一特定方向依序设置于其上的一第一N型高掺杂区、一第一P型高掺杂区、一第二N型高掺杂区、一第二P型高掺杂区与一第三N型高掺杂区,其中该第一、第三N型高掺杂区与该第一、第二P型高掺杂区耦接于一第一接地端;以及一第一N型阱,形成于该基板,相邻于该第一P型阱,该第一N型阱包括沿该特定方向依序设置于其上的一第三P型高掺杂区、一第四N型高掺杂区、一第四P型高掺杂区、一第五N型高掺杂区与一第五P型高掺杂区,其中该第三、第五P型高掺杂区与该第四、第五N型高掺杂区耦接于一第一供电电压端,该第二N型高掺杂区与该第四P型高掺杂区耦接于一第一输入/输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





