[发明专利]湿法刻蚀机台装置无效
| 申请号： | 201310084491.8 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103219232A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 黄耀东;张明华;李芳;刘文燕;严钧华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种湿法刻蚀机台装置，包括放置晶圆的平台，在所述平台上方设置有多个喷嘴，每个喷嘴连接加热元件和流量调节元件。本发明提供的湿法刻蚀机台装置，在平台上方设置多个喷嘴，使得通过调节与每个喷嘴连接的加热元件以及流量调节元件，控制晶圆表面液体的流量分布和温度大小，实现晶圆表面刻蚀量的灵活调整。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 机台 装置 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀机台装置，包括放置晶圆的平台，其特征在于，在所述平台上方设置有多个喷嘴，每个喷嘴连接加热元件和流量调节元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
