[发明专利]应用MQW生长的绿光GaN基LED外延结构

摘要

应用MQW生长的绿光GaN基LED外延结构，涉及LED外延生产技术领域，特别是GaN基绿光LED的生长技术，包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型GaN层，InGaN/GaN多量子阱有源层包括GaN垒层、InGaN量子阱层和变温GaN过渡层，在InGaN/GaN多量子阱有源层的GaN垒层和InGaN量子阱层之间生长低In组分的缓冲层shallowwell。本发明大大降低了与垒之间的应力，能够缓解量子阱、垒之间的应力差，因此量子阱中的极化电场也大大降低，在垒与量子阱之间缓冲层shallowwell使得极化电场得到降低，使得电子与空穴的波函数在空间上的分离现象得到缓解，使得有效辐射复合得到提升。

主权项

应用MQW生长的绿光GaN基LED外延结构，包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型GaN层，所述InGaN/GaN多量子阱有源层包括GaN垒层、InGaN量子阱层和变温GaN过渡层，其特征在于在InGaN/GaN多量子阱有源层的GaN垒层和InGaN量子阱层之间生长低In组分的缓冲层shallow well。