[发明专利]带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310076574.2 申请日: 2013-03-11
公开(公告)号: CN103325937B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 渡边和俊;柴田宪治;末永和史;野本明;堀切文正 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: H01L41/083 分类号: H01L41/083;H01L41/27;H01L21/66
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 钟晶,於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供压电体膜的膜厚值可靠性高的带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法。所述带压电体膜的基板顺次层叠有在主面上形成的下电极和在下电极上形成的钙钛矿结构的压电体膜;压电体膜的厚度为0.3μm以上10μm以下;在表示反射率和波长关系的反射光谱,即压电体膜的中心部和外周部的各至少1点的反射光谱中,极大值和极小值分别具有至少1个,并且极大值中至少1个的反射率为0.4以上,所述反射率由对压电体膜的表面照射的波长400nm~800nm范围的照射光在压电体膜的表面反射的光与照射光透过压电体膜在下电极的表面反射的光通过干涉而得的反射光算出。
搜索关键词: 压电 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种压电体膜元件的制造方法,其特征是,在具有在基板上通过溅射法依顺序形成并层叠有至少下电极、钙钛矿结构的压电体膜和上电极的工序的压电体膜元件的制造方法中,分别在所述基板的中心部和外周部实施以下工序:在形成所述上电极之前,对在所述下电极上以厚度成为0.3μm~10μm的方式形成的所述压电体膜的表面照射波长400nm~800nm范围的照射光,对在所述压电体膜的表面反射的所述照射光和透过所述压电体膜在所述下电极的表面反射的所述照射光通过干涉而得到的反射光进行接收,得到表示由所述反射光算出的反射率和所述波长的关系的反射光谱,在下述情况下,判断作为所述基板的中心部和外周部的所述压电体膜的表面的高度之差的翘曲量超过规定值:在所述基板的中心部所得到的所述反射光谱中,极大值和极小值分别具有至少1个,并且所述极大值中至少1个的所述反射率为0.4以上,同时,在所述基板的外周部所得到的所述反射光谱中,极大值和极小值分别具有至少1个,并且所述反射光谱所具有的全部的所述极大值的所述反射率都不足0.4。
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