[发明专利]一种双面发光二极管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310075360.3 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103151447A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 黄少华;赵志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面发光二极管结构及其制作方法，通过电镀或电铸法来使发光二极管结构无需打线且形成双面式发光的结构，由于双面发光的特性，能够使芯片的发散角度达到150度以上的发光角度。此外，有良好的取光与散热机制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双面发光二极管结构，包括：金属衬底，划分为第一导电区，第二导电区；绝缘结构，贯穿所述金属衬底并向两侧延伸，隔离所述金属衬底的第一导电区和第二导电区；第一发光外延叠层，位于所述金属衬底的正面之上，自上而下至少包含一第一半导体层和一第二半导体层，并构成一个PN结，所述第一半导体层与第一导电区连接，所述第二半导体层与第二导电区连接；第二发光外延叠层，位于所述金属衬底的反面之上，自下而上至少包含一第三半导体层和一第四半导体层，并构成一个PN结，所述第三半导体层与第一导电区连接，所述第四半导体层与第二导电区连接；所述第一、第二发光外延叠层通过绝缘结构实现与所述金属衬底无间隙连接；当向所述第一导电区和第二导电区通电后，其同时向第一发光外延叠层和第二发光外延叠层注入电流，实现从金属衬底两侧发光。
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