[发明专利]拓扑绝缘体脉冲调制器件及全固态激光用脉冲调制激光器有效
申请号: | 201310074989.6 | 申请日: | 2013-03-08 |
公开(公告)号: | CN103151695A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 于浩海;张怀金;王继扬;张晗;赵楚军;文双春 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H01S3/11 | 分类号: | H01S3/11 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 许德山 |
地址: | 250100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及拓扑绝缘体脉冲调制器件及全固态激光用脉冲调制激光器。拓扑绝缘体脉冲调制器件包括衬底和沉积在衬底上面的拓扑绝缘体材料,可用于对产生可见光、红外或紫外的激光进行调Q和锁模,制成全固态激光用脉冲调制激光器;所述的全固态激光用脉冲调制激光器包括泵浦源,前腔镜,激光增益介质,拓扑绝缘体调制器件,输出镜;是将所述的拓扑绝缘体调制器件放于全固态激光器的谐振腔内,制成调Q器件或锁模器件的激光器。本发明的脉冲调制器件具有制作简单、可实现波长较大范围内激光的调节、有利于产业化生产等特点。 | ||
搜索关键词: | 拓扑 绝缘体 脉冲调制 器件 固态 激光 激光器 | ||
【主权项】:
拓扑绝缘体脉冲调制器件,包括衬底和沉积在衬底上面的拓扑绝缘体材料,衬底选择石英衬底或蓝宝石衬底;所述拓扑绝缘体材料选自Bi2Se3、Bi2Te3或Sb2Te3。
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