[发明专利]一种GaN基发光二极管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310074695.3 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104022203B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王成新;徐明升;曲爽;马旺;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基发光二极管结构，包括衬底、n型GaN导电层、n型AlGaN限制层、有源区发光层、p型AlGaN限制层、p电极和n电极，其中在所述p型AlGaN限制层的上表面或下表面沉积有一层p型金刚石薄膜导电层，所述p型金刚石薄膜导电层的横截面积大小与p型AlGaN限制层的大小相同，厚度为50‑500nm。本发明的金刚石薄膜对全波段光的吸收作用很弱，减小了吸光问题，可以有效提高LED的出光效率；金刚石的禁带宽度较大，对电子的反射作用强，能够减小电子泄露，提高亮度；p型金刚石薄膜掺杂容易，空穴浓度较高，易于制备欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管结构，包括衬底、n型GaN导电层、n型AlGaN限制层、有源区发光层、p型AlGaN限制层、p电极和n电极，其特征在于，在所述p型AlGaN限制层的上表面或下表面沉积有一层p型金刚石薄膜导电层，厚度为50‑500nm。
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