[发明专利]可挠性基板的制作方法有效
| 申请号： | 201310071136.7 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103236418B | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈建萤;赵俊贤;谢明哲;吴开杰;张育诚;林郁欣 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制作可挠性基板的方法，其包含下列步骤。提供一负载基板。形成含金属层于负载基板上。形成可挠性基板于含金属层上。局部进行一加热程序于含金属层，以于含金属层与可挠性基板接触处形成至少一粘着区，以及于未进行该加热程序处形成至少一非粘着区。上述加热程序的升温速率大于或等于10℃/分钟，升温最高温度为小于或等于可挠性基板的玻璃转移温度(Tg)。 | ||
| 搜索关键词： | 可挠性基板 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作可挠性基板的方法，其特征在于，依序包含：提供一负载基板；形成一含金属层于该负载基板上；形成一可挠性基板于该含金属层上；以及局部进行一加热程序于该含金属层，以于该含金属层与该可挠性基板接触处形成至少一粘着区，以及于未进行该加热程序处形成至少一非粘着区，其中该加热程序的升温速率为10℃/分钟至50℃/分钟，升温最高温度为小于或等于该可挠性基板的玻璃转移温度Tg。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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