[发明专利]金红石晶体的生长方法有效
| 申请号： | 201310069994.8 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103173846B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 叶宁;张犁园 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及金红石晶体的生长方法。该方法使用了新的助熔剂BaCO3—B2O3体系，可以较大幅度地降低晶体的生长温度，可以稳定地生长出尺寸为厘米级、质量较好的金红石晶体。该工艺生长晶体的速度较快，成本低廉，对设备要求低，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 金红石 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
金红石晶体的生长方法，采用熔盐法生长，其特征在于：助熔剂体系为BaCO3—B2O3体系，采用含Ti和Ba的相应氧化物或碳酸盐或硝酸盐或草酸盐或硼酸盐或氢氧化物或其铵盐和H3BO3或B2O3为原料，TiO2‑BaCO3‑B2O3的含量克分子比为：1：0.3～2：0.5～4；采用熔盐法在熔体表面或熔体中生长晶体；晶体生长参数为1330‑1200℃，降温速率0.5～5℃/天，同时以5‑30转/分的速率旋转晶体，待晶体生长到所需尺度后，提起籽晶使其脱离液面，并以不大于100℃/h的速率降至室温，便可获得大尺寸的金红石晶体。
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