[发明专利]多层电子支撑结构的层间对准有效
申请号: | 201310068406.9 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN103187365B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 卓尔·赫尔维茨;陈先明 | 申请(专利权)人: | 珠海越亚封装基板技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/544 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司11403 | 代理人: | 李翔,李弘 |
地址: | 广东省珠海市富山工业区虎山村*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种用于在先层上对准在后层的方法,所述在先层包括封装在介电材料中的金属特征结构或通孔,所述方法包括以下步骤将所述介电材料减薄并平坦化,以产生介电材料的光滑表面以及使所述通孔柱的暴露端部共平面;将所述光滑表面成像;区分出至少一个金属特征结构的端部位置;以及,利用至少一个通孔特征结构的端部位置作为对准标记用于对准在后层。 | ||
搜索关键词: | 多层 电子 支撑 结构 对准 | ||
【主权项】:
一种在多层电子支撑结构的制造中用于在基板的在先层上对准在后层的方法,所述在先层包括包封在介电材料中并延伸穿过介电材料的多个通孔柱,所述在后层包括在后层金属特征结构,所述方法包括以下步骤:a)将所述介电材料和所述多个通孔柱中的每一个的上端部减薄并平坦化以形成光滑表面,所述光滑表面包括所述介电材料和所述多个通孔柱中的每一个的共平面的暴露上端部;a1)在所述光滑表面上沉积种子层;b)将所述光滑表面成像;c)透过所述种子层区分出所述多个通孔柱中至少一个的上端部位置;以及d)利用所述多个通孔柱中至少一个的上端部位置作为定位标记用于将所述在后层在所述在先层上对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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