[发明专利]具有共掺杂薄膜的砷化镓基激光二极管无效
| 申请号： | 201310067262.5 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103151709A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 钱时昌 | 申请（专利权）人： | 溧阳华晶电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/327 | 分类号： | H01S5/327 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 蒋家华 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管，该激光二极管的结构为：n型氧化镍薄膜，其形成在砷化镓衬底的上表面上；氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜，其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上，以及底电极，其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上，顶电极，其形成在所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 薄膜 砷化镓基 激光二极管 | ||
【主权项】：
一种采用氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管，该激光二极管的结构为：n型氧化镍薄膜，其形成在砷化镓衬底的上表面上；氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜，其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上，以及底电极，其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上，顶电极，其形成在所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于溧阳华晶电子材料有限公司，未经溧阳华晶电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310067262.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
