[发明专利]晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法

摘要

一种晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法，所述晶体管重叠电容的测试方法包括提供第一测试结构，所述第一测试结构包括在第一半导体衬底上形成的第一晶体管和第一连接结构，第一晶体管的第一源区和第一漏区内具有位于第一栅极的下方的第一重叠区，所述第一连接结构位于第一源区和第一漏区表面；测试获取第一栅极和第一连接结构之间的第一电容；提供第二测试结构，所述第二测试结构包括在第二半导体衬底上形成的第二晶体管和第二连接结构，并且所述第二栅极一侧的第二源区或第二漏区内具有位于第二栅极下方的第二重叠区，第二连接结构位于第二源区和第二漏区表面；测试第二栅极和第二连接结构之间的第二电容；计算得到第一晶体管的重叠电容。

主权项

一种晶体管重叠电容的测试方法，其特征在于，包括：提供第一测试结构，所述第一测试结构包括在第一半导体衬底上形成的第一晶体管和第一连接结构，所述第一晶体管包括位于第一半导体衬底上的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层和位于所述第一栅介质层表面的第一栅极、所述第一晶体管还包括位于所述第一栅极两侧的第一半导体衬底内的第一源区和第一漏区，所述第一源区和第一漏区内具有位于第一栅极结构下方的第一重叠区，所述第一连接结构位于第一源区和第一漏区表面；测试获取第一栅极和第一连接结构之间的第一电容，其中，所述第一电容等于第一连接电容，第一边缘电容以及重叠电容之和；提供第二测试结构，所述第二测试结构包括在第二半导体衬底上形成的第二晶体管和第二连接结构，所述第二晶体管包括位于第二半导体衬底上的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅介质层和位于所述第二栅介质层表面的第二栅极、所述第二晶体管还包括位于所述第二栅极两侧的第二半导体衬底内的第二源区和第二漏区，并且所述第二栅极一侧的第二源区或第二漏区内具有位于第二栅极结构下方的第二重叠区，所述第二连接结构位于第二源区和第二漏区表面；测试获取第二栅极和第二连接结构之间的第二电容，所述第二电容等于第二连接电容以及第二边缘电容之和，其中，所述第二连接电容等于所述第一连接电容，所述第二边缘电容等于所述第一边缘电容；计算所述第一电容和第二电容的差值，得到第一晶体管的重叠电容。