[发明专利]形成掩埋导电层方法、材料厚度控制法、形成晶体管方法有效
| 申请号： | 201310060514.1 | 申请日： | 2004-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103199017A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 阿肖克·沙拉;艾伦·埃尔班霍威;克里斯托弗·B·科康;史蒂文·P·萨普;彼得·H·威尔逊;巴巴克·S·萨尼 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于在形成在半导体基板上的沟槽内形成掩埋导电层的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于形成沟槽栅型晶体管的方法。方法包括：在半导体基板和所述沟槽的上表面上形成第一介电材料层；在第一介电材料层上形成第一导电材料层；图样化第一介电材料层和所述第一导电材料层以形成第一导电电极，所述第一导电电极包括在所述沟槽内沿着所述沟槽的纵轴延伸的第一部分以及在所述沟槽的第一末端处的所述基板的顶部上延伸的第二部分；在所述第一导电材料层上形成第二介电材料层；在所述第二导电材料层上形成第二介电材料层；以及图样化所述第二介电材料层和所述第二导电材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 掩埋 导电 方法 材料 厚度 控制 晶体管 | ||
【主权项】：
一种用于在形成在半导体基板上的沟槽内形成掩埋导电层的方法，所述方法包括：在所述半导体基板和所述沟槽的上表面上形成第一介电材料层；在所述第一介电材料层上形成第一导电材料层；图样化所述第一介电材料层和所述第一导电材料层以形成第一导电电极，所述第一导电电极包括在所述沟槽内沿着所述沟槽的纵轴延伸的第一部分以及在所述沟槽的第一末端处的所述基板的顶部上延伸的第二部分；在所述第一导电材料层上形成第二介电材料层；在所述第二导电材料层上形成第二介电材料层；以及图样化所述第二介电材料层和所述第二导电材料层以形成第二导电电极，所述第二导电电极具有在所述沟槽内并沿所述沟槽的纵轴延伸的第一部分以及在所述第一导电电极的所述第二部分的顶部上延伸的第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
