[发明专利]离子产生装置以及离子产生方法有效

专利信息
申请号: 201310059058.9 申请日: 2013-02-25
公开(公告)号: CN104008950B 公开(公告)日: 2017-09-08
发明(设计)人: 张小强;孙文剑 申请(专利权)人: 株式会社岛津制作所
主分类号: H01J49/16 分类号: H01J49/16;H01J49/06
代理公司: 上海市华诚律师事务所31210 代理人: 肖华
地址: 日本京都府京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种离子产生装置以及离子产生方法,特别是在较低气压下产生离子并将该离子进行偏轴传输的装置和方法。在该装置和方法中,将电喷雾离子源或其它离子源放置于低于大气压的环境中,并将该低压下产生的离子通过离子导引装置进行偏轴传输以送入后级分析器进行分析,而大部分中性成分噪音在该过程中被去除。
搜索关键词: 离子 产生 装置 以及 方法
【主权项】:
一种离子产生装置,其特征在于,包括:腔体,该腔体内为低于大气压的低压环境;低压电喷雾离子源,其位于所述腔体内的一端,用于在所述低压环境下,沿一喷雾方向产生包含有离子的电喷雾;沿自身轴向延伸的离子导引装置,该离子导引装置位于所述腔体内,且在其径向上分为电隔离的至少两部分,在该电隔离的至少两部分之间施加偏置电压,该偏置电压使离子的传输方向偏离所述喷雾方向;离子引出口,其位于所述腔体的腔壁上,该离子引出口沿离子引出方向引出所述离子,所述离子引出方向偏离所述喷雾方向,所述喷雾方向与所述离子引出方向为大致相反方向。
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