[发明专利]一种顶栅TFT阵列基板制造方法

摘要

本发明的一种顶栅TFT阵列基板制造方法，提出一种优化的顶栅TFT阵列基板制造方法，通过制造工艺的改进，去除了现有方法中源漏电极层的湿法刻蚀工艺步骤，改用阻断层的方法来制造栅电极、源漏电极图形，从而减小了湿法刻蚀对其它膜层的影响，使器件的性能更加稳定；同时实现了TFT阵列电极工艺与TFT阵列基板退火工艺的同时进行，提高了生产的节拍。

主权项

一种顶栅TFT阵列基板制造方法，其特征在于，工艺步骤如下：1) 首先在清洗洁净的玻璃基板（10）之上生长缓冲层（20）；2) 在缓冲层（20）上生长有源层（30），在光刻、刻蚀图形化工艺之后，形成有源层的岛结构（31）；3) 在有源层的岛结构（31）上沉积栅极绝缘层（40），在光刻、刻蚀图形化工艺之后，使顶栅TFT中栅极电极图形之处留有栅极绝缘层（41），使有源层的岛结构（31）的两端暴露出来；4) 涂布一层负性光刻胶作为阻断层材料（50），在曝光、显影图形化工艺之后，形成倒梯形的阻断层（51）结构；加热烘干阻断层（51）使其完全固化，同时对有源层的岛结构（31）进行退火处理，减少有源层岛结构（31）中的缺陷，加热温度为200℃至250℃，加热时间为60分钟至90分钟； 5) 沉积电极金属层（60），在阻断层（51）的作用下，电极金属层（60）被切分为三个部分，即形成栅电极图形（61）、源电极图形（62）和漏电极图形（63）。